三星半导体参加2024ODCC 图片
9月3日，由开放数据中心委员会 (ODCC) 主办的“2024开放数据中心峰会”于今日在北京国际会议中心隆重召开。三星电子副总裁兼闪存应用工程师团队负责人，沈昊俊在会上发表了“跨入未来：人工智能时代的存储创新”的主题演讲。他深入浅出的介绍了推动社会进入生成式AI新时代的三大因素，即计算能力的飞跃，大语言模型（LLM）的精进，以及各种AI服务的兴起，并进一步探讨了生成式AI时代“更优AI”的技术趋势，指出新时代面临的挑战不仅仅是存储器大容量的需求，随着迈向更精密的AI模型，存储器的高性能读写能力也是当下面临的巨大挑战。
演讲中，沈昊俊介绍了为解决这些问题三星半导体提出的存储解决方案和行业主流应用趋势。为克服性能和容量的制约，采用并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM则日益突破内存容量限制，满足市场对大容量的需求。
关于目前行业主流应用的大容量存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
演讲中，沈昊俊介绍了为解决这些问题三星半导体提出的存储解决方案和行业主流应用趋势。为克服性能和容量的制约，采用并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM则日益突破内存容量限制，满足市场对大容量的需求。关于目前行业主流应用的大容量存储产品，沈昊俊分别介绍了三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
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